Para peneliti sebelumnya telah membuat transistor graphene menggunakan metode mekanis dengan susah payah, misalnya dengan lembaran graphene dari grafit; transistor tercepat dibuat dengan cara ini telah mencapai kecepatan hingga 26 gigahertz. Transistor dibuat dengan menggunakan metode yang serupa tetapi tidak sama dengan kecepatan ini.
Tumbuh transistor di wafer tidak hanya mengarah ke performa yang lebih baik, itu juga lebih layak secara komersial, kata Phaedon Avouris, pemimpin ilmu pengetahuan dan teknologi nano kelompok di IBM Watson Research Center di Ossining, NY.
Pada akhirnya, graphene memiliki potensi untuk menggantikan silikon dalam kecepatan tinggi untuk prosesor komputer. “Bahkan tanpa mengoptimalkan desain, transistor ini sudah 2,5 kali lebih baik daripada silikon,” kata Yu-Ming Lin, peneliti lain di IBM Watson yang bekerja sama dengan Avouris.
Peneliti lain telah membuat transistor sangat cepat menggunakan bahan semikonduktor mahal seperti indium phosphide, tetapi perangkat ini hanya beroperasi pada temperatur rendah. Secara teori, graphene memiliki sifat yang diperlukan untuk membiarkan transistor Terahertz dijalankan pada kecepatan pada suhu kamar. (tr/tik)
